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粉末方阻測試儀的四探針頭分析介紹
更新時間:2015-11-11 點擊次數:1546
   粉末方阻測試儀主要由主機、測試架及四探針頭組成本儀器的特點是主機配置雙數字表,在測量電阻率的同時,另一塊數字表適時監測全程的電流變化,免除了測量電流/測量電阻率的轉換,更及時掌控測量電流。主機還提供精度為0.05%的恒流源,使測量電流高度穩定。本機配有恒流源開關,在測量某些箔層材料時,可免除探針尖與被測材料之間接觸火花的發生,更好地保護箔膜。

  粉末方阻測試儀所有參數設定、功能轉換全部采用數字化鍵盤輸入;具有零位、滿度自校功能;自動轉換量程;測試探頭采用寶石導向軸套和高耐磨碳化鎢探針制成,故定位準確、游移率小、壽命長;測試結果由數字表頭直接顯示。

  粉末方阻測試儀可測量半導體材料硅鍺棒、塊、片、導電薄膜等。測量方式:平面測量。電壓表采用雙數字電壓表,可同時觀察電流、電壓變化。

  粉末方阻測試儀的恒流源:

  A.電流輸出:直流電流0.003~100 mA連續可調,有交流電源供給

  B.量程:10uA,100uA,1 mA,10 mA,100 mA五檔

  C.恒流源精度:各檔均≤±0.05%

  粉末方阻測試儀的測量系統

  KDY測量系統設計語言:VC++,可對四探針、兩探針電阻率測量數據進行處理并修正測量數據,特定數據存儲格式,顯示變化曲線。

  兼容性:適用于通用電腦,支持Windows XP。

  粉末方阻測試儀的四探針頭介紹:

  A.探頭間距1.59㎜

  B.探針機械游率:±0.3%

  C.探針直徑0.8㎜

  D.探針材料:碳化鎢,探針間及探針與其他部分之間的絕緣電阻大于109歐姆。

  測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)、定向結晶多晶硅的電阻率,測定硅外延層、擴散層和離子注入層以及導電玻璃(ITO)和其它導電薄膜的方塊電阻測量。

  探針間距1.00mm的探針頭適合測量直徑小于50mm的的直徑單晶片。探針間距1.59mm的探針頭相對精度高,在SEMI標準中為仲裁探針頭,適合測量直徑大于50mm的的大直徑單晶片,因為探針直徑較粗更加耐磨且不易斷針,所以尤其適合測量硅、鍺單晶棒、塊。

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