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雙電四探針電阻率詳情介紹

簡要描述:雙電四探針電阻率詳情介紹,本儀器本儀器采用四探針雙電測量方法,適用于生產企業、高等院校、科研部門,是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的一種重要的工具。本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料

  • 產品型號:FT-331
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2024-06-13
  • 訪  問  量:2297
詳細介紹
品牌ROOKO/瑞柯價格區間1萬-3萬
自動化度手動產地類別國產
應用領域醫療衛生,化工,生物產業,能源,電子/電池

雙電四探針電阻率詳情介紹

適用范圍

1.覆蓋膜;導電高分子膜,高、低溫電熱膜;隔熱、導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結、濺射、涂覆、涂布層,電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料,其他半導體材料、薄膜材料方阻測試

2.硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻  半導體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件,導電薄膜(ITO導電膜玻璃等),金屬膜,導電漆膜,蒸發鋁膜,PCB銅箔膜,

3.EMI涂層等物質的薄層電阻與電阻率  導電性油漆,導電性糊狀物,導電性塑料,導電性橡膠,導電性薄膜,金屬薄膜,

4.抗靜電材料, EMI 防護材料,導電性纖維,導電性陶瓷等,

雙電四探針電阻率詳情介紹

功能描述Description:

1. 四探針組合雙電測量方法

2. 液晶顯示,自動測量,自動量程,自動系數補償.

3. 集成電路系統、恒流輸出.

4. 選配:PC軟件進行數據管理和處理.

5. 提供中文或英文兩種語言操作界面選擇

參照標準:

1.硅片電阻率測量的標準(ASTM F84).

2.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》.

 

 

雙電組合測試方法:

利用電流探針、電壓探針的變換,進行兩次電測量,對數據進行雙電測分析,解決樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響,適用于斜置式四探針對于微區的測試。

工作原理和計算公式

1.雙電測四探針法測試薄層樣品方阻計算和測試原理如下

直線四探針測試布局如圖8,相鄰針距分別為S1、S2、S3,根據物理基礎和電學原理:

當電流通過1、4探針,2、3探針測試電壓時計算如下:

 


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